دو نوع حافظهٔ فلش وجود دارد که بر حسب منطقهای NAND , NOR نام گذاری
شدهاند سلولهای مستقل حافظهٔ فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازهٔ مربوطه
را نشان میدهند. در حالی که EPROMها باید قبل از نوشته شدن به طور کامل
پاک شوند، فلشهای نوع NANDمیتوانند همزمان در بلوکهایی که معمولاً از
کّل دستگاه کوچکترند خوانده و نوشته شوند. فلشهای NOR به یک کلمهٔ ماشینی
تنها (بایت) اجازه میدهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا
خواند شوند. نوع NAND به صورت عمده در کارتهای حفظ فلشهای یواسبی و
درایوهای حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی و انتقال داده
استفاده میشود. فلشهای NAND, NOR معمولاً برای ذخیره پیکر بندی دادهها
در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده میشوند مسئولیتی که در گذشته به
وسیلهٔ EPROMها یا حافظهٔ استاتیک باتری دار ممکن میشد. یکی از معایب
حافظهٔ فلش تعداد محدود چرخههای خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است.
فلشهای NOR و NAND نام خود را از روابط داخلی بین سلولهای حافظهشان
میگیرند. مشابه گیت نند، در فلشهای نند هم گیتها در سریهایی به هم متصل
هستند. در یک گیت NOR ترانزیستورها به طور موازی به هم متصل هستند و مانند
آن در فلش NOR سلولها به طور موازی به خطوط بیت متصل هستند و به همین
دلیل است که سلولها میتوانند جداگانه و مستقل، خوانده و برنامهنویسی
شوند.[۱]
در مقایسه با فلشهای NOR جایگزین کردن یک ترانزیستور با گروههای سری
لینک شده یک سطح آدرس دهی اضافی به آنها میافزاید. در حالی که فلشهای NOR
میتوانند حافظه را با صفحه و سپس کلمه آدرس دهی کنند. فلشهای NAND
میتوانند آن را با صفحه، کلمه و بیت آدرس دهی کنند.
[ بازدید : 69 ] [ امتیاز : 3 ] [ نظر شما :
]